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6140843Immagine MT41K512M8RH-125 M:E.Micron Technology

MT41K512M8RH-125 M:E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41K512M8RH-125 M:E
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT41K512M8RH-125 M:E.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Contenitore dispositivo fornitore
    78-FBGA (9x10.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    78-TFBGA
  • Altri nomi
    MT41K512M8RH-125 M:E-ND
    MT41K512M8RH-125M:E
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Frequenza dell'orologio
    800MHz
  • Numero di parte base
    MT41K512M8
  • Tempo di accesso
    13.75ns

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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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