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5267174Immagine MT41K512M8RH-125 XIT:E TR.Micron Technology

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Contenitore dispositivo fornitore
    78-FBGA (9x10.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    78-TFBGA
  • Altri nomi
    MT41K512M8RH-125 XIT:E TR-ND
    MT41K512M8RH-125XIT:ETR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Frequenza dell'orologio
    800MHz
  • Tempo di accesso
    13.75ns

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MT41K512M8RH-125 M:E TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K64M16JT-125:G TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8RH-125 M AIT:E

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8V90BWC1

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K64M16JT-125:G

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8RH-125:E

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8RH-125 IT:E

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8RH-125:E TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8RH-125 V:E TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8THD-15E:D

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
RFQ
MT41K512M8V00HWC1

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Produttori: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT41K512M8RH-125 V:E

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 M:E

MT41K512M8RH-125 M:E

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 IT:E TR

MT41K512M8RH-125 IT:E TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N001

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
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MT41K512M8V00HWC1-N002

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL

Produttori: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 XIT:E

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT41K512M8V80AWC1

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Produttori: Micron Technology
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