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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR
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MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    240-WFBGA (14x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    240-WFBGA
  • Altri nomi
    MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR-ND
    MT46H128M32L2MC-5WT:BTR
  • temperatura di esercizio
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (128M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 200MHz 5.0ns 240-WFBGA (14x14)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    MT46H128M32
  • Tempo di accesso
    5.0ns
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H128M32L2MC-6 WT:B

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M16LFBF-5:H

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M16LFBF-5 IT:H

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M16LFBF-5:H TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H16M16LFBF-6 AT:H

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H128M32L2MC-6 IT:A

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H128M32L2MC-5 IT:A

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H128M32L2MC-5 WT:B

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-5 IT:B

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H16M16LFBF-6 IT:A

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

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