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54051Immagine MT46H16M16LFBF-6 AT:H.Micron Technology

MT46H16M16LFBF-6 AT:H

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46H16M16LFBF-6 AT:H
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT46H16M16LFBF-6 AT:H.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    12ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    60-VFBGA
  • Altri nomi
    MT46H16M16LFBF-6 AT:H-ND
    MT46H16M16LFBF-6AT:H
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.0ns 60-VFBGA (8x9)
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Numero di parte base
    MT46H16M16
  • Tempo di accesso
    5.0ns

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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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