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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > MT46H16M32LFCX-6:B TR
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108615Immagine MT46H16M32LFCX-6:B TR.Micron Technology

MT46H16M32LFCX-6:B TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46H16M32LFCX-6:B TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-VFBGA (9x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    90-VFBGA
  • Altri nomi
    MT46H16M32LFCX-6:B TR-ND
    MT46H16M32LFCX-6:BTR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (9x13)
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Numero di parte base
    MT46H16M32
  • Tempo di accesso
    5.0ns
MT46H256M32L4JV-5 IT:B

MT46H256M32L4JV-5 IT:B

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M32LFCM-6:B TR

MT46H16M32LFCM-6:B TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M32LFT67M-N1003

MT46H16M32LFT67M-N1003

Descrizione: IC SDRAM MOBILE DDR 512M

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H1DAMA-DC

MT46H1DAMA-DC

Descrizione: IC MOBILE DDR 1G 32MX32 FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR

MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H256M32L4JV-6 WT:B

MT46H256M32L4JV-6 WT:B

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H256M32L4JV-6 IT:A

MT46H256M32L4JV-6 IT:A

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H1DBB5-DC

MT46H1DBB5-DC

Descrizione: IC MOBILE DDR 512M NAX16 FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR

MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M32LFCX-5:B TR

MT46H16M32LFCX-5:B TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H256M32L4JV-5 IT:A

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M32LFCX-5 IT:B

MT46H16M32LFCX-5 IT:B

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H256M32L4JV-5 WT:B

MT46H256M32L4JV-5 WT:B

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR

MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR

Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M32LFCX-6:B

MT46H16M32LFCX-6:B

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H16M32LFCM-75 IT

MT46H16M32LFCM-75 IT

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
MT46H16M32LFCX-6 IT:B

MT46H16M32LFCX-6 IT:B

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H16M32LFCM-6 TR

MT46H16M32LFCM-6 TR

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H16M32LFCX-5:B

MT46H16M32LFCX-5:B

Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR

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Descrizione: IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

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