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4116183Immagine MT46V256M4P-75:A.Micron Technology

MT46V256M4P-75:A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46V256M4P-75:A
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT46V256M4P-75:A.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (256M x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 133MHz 750ps 66-TSOP
  • Frequenza dell'orologio
    133MHz
  • Numero di parte base
    MT46V256M4
  • Tempo di accesso
    750ps

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Produttori: Micron Technology
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MT46V32M16BN-5B L IT:F

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46V16M8TG-6T IT:D TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V256M4P-75:A TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V32M16BN-5B:C

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46V32M16BN-5B IT:F

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46V256M4P-6T:A TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

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