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6840387Immagine MT46V64M4BG-5B:GTR.Micron Technology

MT46V64M4BG-5B:GTR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46V64M4BG-5B:GTR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    60-FBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x14)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    MT46V64M4
  • Tempo di accesso
    700ps
MT46V64M16TG-75:A TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M4P-5B:K

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M4FG-75:G TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M16P-75:A

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MT46V64M4FG-6:G TR

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M16P-75:A TR

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MT46V64M16P-6T IT:A TR

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MT46V64M4FG-75:G

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MT46V64M4P-5B:G

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MT46V64M16P-6T:A

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M4BG-6:GTR

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MT46V64M4FG-75E:G

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MT46V64M16TG-6T:A

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