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1413846Immagine MT46V64M8BN-5B:F.Micron Technology

MT46V64M8BN-5B:F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT46V64M8BN-5B:F
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MT46V64M8BN-5B:F.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    60-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    60-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    MT46V64M8
  • Tempo di accesso
    700ps

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT46V64M8BN-75 IT:D

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M4P-6T:K

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M8BN-5B:F TR

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Produttori: Micron Technology
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MT46V64M4P-5B:K

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M8BN-5B:D

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M8BN-6 IT:F

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M4TG-75:G

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M8BN-6 IT:F TR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT46V64M4P-6T:GTR

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

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