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MT48H32M16LFBF-6:B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT48H32M16LFBF-6:B
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MT48H32M16LFBF-6:B.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    54-VFBGA (6x9)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    54-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-VFBGA (6x9)
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Numero di parte base
    MT48H32M16
  • Tempo di accesso
    5ns

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

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