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5243996Immagine 1N5619.Microsemi

1N5619

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5619
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1N5619.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.6V @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    250ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    A, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    500nA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    25pF @ 12V, 1MHz

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In magazzino
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Produttori: Microsemi
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RFQ
1N5618

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
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1N5620GPHE3/54

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Produttori: Microsemi
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1N5620C.TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: Semtech
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Produttori: Microsemi
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1N5620

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
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