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Specifiche

Modello di prodotti

1N5619US
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

1N5619US.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.6V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max)

600V
Contenitore dispositivo fornitore

D-5A
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

250ns
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
Corrente - Dispersione inversa a Vr

500nA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io)

1A
Capacità a Vr, F

25pF @ 12V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Produttori: Microsemi

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