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1N5621US

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5621US
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1N5621US.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.6V @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D-5A
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    300ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, A
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    500nA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    20pF @ 12V, 1MHz

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Semtech
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N5622GP-E3/73

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: Semtech
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Produttori: Microsemi Corporation
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Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
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