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2438428Immagine 1N5804US.Microsemi

1N5804US

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5804US
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1N5804US.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    875mV @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D-5A
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    25ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, A
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount D-5A
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 100V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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