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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5802
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5332059Immagine 1N5802.Microsemi

1N5802

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5802
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1N5802.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    875mV @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    50V
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    25ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    A, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 50V 1A Through Hole
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE 14FLATPACK

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE 10CFLATPACK

Produttori: Microsemi Corporation
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Produttori: Semtech
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Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

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Descrizione: DIODE ZENER 75V 500MW DO35

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE 10CFLATPACK

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Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

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Descrizione: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
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RFQ
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