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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > 23A005
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23A005

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    23A005
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS RF BIPO 3W 400MA 55BT2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    23A005.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    22V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    55BT
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    3W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    55BT
  • temperatura di esercizio
    200°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    -
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    8.5dB ~ 9.5dB
  • Frequenza - transizione
    4.3GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 22V 400mA 4.3GHz 3W Chassis Mount 55BT
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 100mA, 5V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    400mA

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