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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > 2A8
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2A8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2A8
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55EU2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2A8.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    21V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    55EU
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    5.3W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    55EU
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    -
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    7dB ~ 9dB
  • Frequenza - transizione
    2GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 21V 300mA 2GHz 5.3W Chassis Mount 55EU
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 100mA, 5V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    300mA

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