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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3501UB
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345724Immagine 2N3501UB.Microsemi

2N3501UB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N3501UB
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 150V 0.3A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N3501UB.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    150V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    400mV @ 15mA, 150mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UB
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/366
  • Potenza - Max
    500mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, No Lead
  • Altri nomi
    1086-20835
    1086-20835-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 500mW Surface Mount UB
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    300mA

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