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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > 2N6987
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3694911Immagine 2N6987.Microsemi

2N6987

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N6987
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N6987.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.6V @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    4 PNP (Quad)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-116
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.5W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole TO-116
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    600mA

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