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4477838Immagine APL502B2G.Microsemi

APL502B2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APL502B2G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APL502B2G.pdf
    2.APL502B2G.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 29A, 12V
  • Dissipazione di potenza (max)
    730W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3 Variant
  • Altri nomi
    APL502B2GMI
    APL502B2GMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 58A (Tc) 730W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

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Produttori: Kingbright
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