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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori ponte > APT100DL60HJ
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2140575Immagine APT100DL60HJ.Microsemi

APT100DL60HJ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT100DL60HJ
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOD DIODE 600V SOT-227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - Picco inversa (max)
    600V
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    2V @ 100A
  • Tecnologia
    Standard
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Single Phase
  • Descrizione dettagliata
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Chassis Mount SOT-227
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    250µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    100A
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100F50J

APT100F50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Descrizione: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Descrizione: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Descrizione: IGBT 600V 229A 625W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10045JLL

APT10045JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Descrizione: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Descrizione: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN120J

APT100GN120J

Descrizione: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Descrizione: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino

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