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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT10078SLLG
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7056112Immagine APT10078SLLG.Microsemi

APT10078SLLG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT10078SLLG
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D3 [S]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    780 mOhm @ 7A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    403W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2525pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 14A (Tc) 403W (Tc) Surface Mount D3 [S]
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN120J

APT100GN120J

Descrizione: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100F50J

APT100F50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10035JLL

APT10035JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT1002RBNG

APT1002RBNG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Descrizione: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Descrizione: MOD DIODE 600V SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10045JLL

APT10045JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Descrizione: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino

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