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314345Immagine APT25GP90BDQ1G.Microsemi

APT25GP90BDQ1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT25GP90BDQ1G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 900V 72A 417W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT25GP90BDQ1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    900V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.9V @ 15V, 25A
  • Condizione di test
    600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    13ns/55ns
  • di scambio energetico
    370µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potenza - Max
    417W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    APT25GP90BDQ1GMI
    APT25GP90BDQ1GMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    110nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    110A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    72A

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Spedizione
Pagamento
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 1200V 69A 417W TO247

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