Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT30GN60BDQ2G
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
5307822Immagine APT30GN60BDQ2G.Microsemi

APT30GN60BDQ2G

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
120+
$4.918
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT30GN60BDQ2G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 63A 203W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT30GN60BDQ2G.pdf
    2.APT30GN60BDQ2G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Condizione di test
    400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    12ns/155ns
  • di scambio energetico
    525µJ (on), 700µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    203W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    165nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    90A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    63A

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

11/02/2025

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

10/02/2025

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26/01/2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT30GN60BDQ2G".
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Descrizione: IGBT 600V 63A 203W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Descrizione: DIODE MODULE 200V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Descrizione: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Descrizione: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Descrizione: IGBT 600V 100A 463W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Descrizione: IGBT 600V 64A 250W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Descrizione: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Descrizione: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Descrizione: IGBT 600V 54A 250W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Descrizione: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Descrizione: IGBT 600V 100A 463W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Descrizione: IGBT 600V 54A 250W TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Descrizione: IGBT 600V 100A 463W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciNotiziaMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.