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4211076Immagine APT33GF120B2RDQ2G.Microsemi

APT33GF120B2RDQ2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT33GF120B2RDQ2G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT33GF120B2RDQ2G.pdf
    2.APT33GF120B2RDQ2G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3V @ 15V, 25A
  • Condizione di test
    800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    14ns/185ns
  • di scambio energetico
    1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    357W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3 Variant
  • Altri nomi
    APT33GF120B2RDQ2GMI
    APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    170nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    75A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    64A

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