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1701713Immagine APT35GA90B.Microsemi

APT35GA90B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT35GA90B
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 900V 63A 290W TO-247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT35GA90B.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    900V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.1V @ 15V, 18A
  • Condizione di test
    600V, 18A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    12ns/104ns
  • di scambio energetico
    642µJ (on), 382µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Potenza - Max
    290W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    84nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    105A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    63A

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Produttori: Microsemi
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