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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT34M120J
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4338082Immagine APT34M120J.Microsemi

APT34M120J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT34M120J
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    300 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    960W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Altri nomi
    APT34M120JMI
    APT34M120JMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    18200pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1200V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
APT34M60B

APT34M60B

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Descrizione: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT34F60BG

APT34F60BG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT34F100B2

APT34F100B2

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Descrizione: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT34F60B

APT34F60B

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT34F100L

APT34F100L

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

Descrizione: IGBT 1200V 52A 297W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GA90B

APT35GA90B

Descrizione: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Descrizione: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 64A 357W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Descrizione: IGBT 900V 63A 290W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino

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