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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT36GA60BD15
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1374227Immagine APT36GA60BD15.Microsemi

APT36GA60BD15

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT36GA60BD15
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 65A 290W TO-247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 20A
  • Condizione di test
    400V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    16ns/122ns
  • di scambio energetico
    307µJ (on), 254µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Potenza - Max
    290W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    29 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    18nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    109A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    65A
APT37F50S

APT37F50S

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38F50J

APT38F50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35SM70S

APT35SM70S

Descrizione: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Descrizione: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT37M100B2

APT37M100B2

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38F80L

APT38F80L

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38F80B2

APT38F80B2

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT37M100L

APT37M100L

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT36GA60B

APT36GA60B

Descrizione: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35SM70B

APT35SM70B

Descrizione: MOSFET N-CH 700V TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GP120J

APT35GP120J

Descrizione: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Descrizione: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Descrizione: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Descrizione: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT37F50B

APT37F50B

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38M50J

APT38M50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Produttori: Microsemi
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APT38N60BC6

APT38N60BC6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Produttori: Microsemi
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APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Produttori: Microsemi
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APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Produttori: Microsemi
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