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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT39M60J
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4410420Immagine APT39M60J.Microsemi

APT39M60J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT39M60J
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    110 mOhm @ 28A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    480W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    23 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11300pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    280nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 42A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    42A (Tc)
APT37F50S

APT37F50S

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT40DC60HJ

APT40DC60HJ

Descrizione: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38F80L

APT38F80L

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT40DC120HJ

APT40DC120HJ

Descrizione: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT4065BNG

APT4065BNG

Descrizione: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT4012BVRG

APT4012BVRG

Descrizione: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38M50J

APT38M50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT40DQ120BG

APT40DQ120BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT40DQ100BCTG

APT40DQ100BCTG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38F80B2

APT38F80B2

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT4016BVRG

APT4016BVRG

Descrizione: MOSFET N-CH 400V TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT37M100B2

APT37M100B2

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT40DQ100BG

APT40DQ100BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT4012BVR

APT4012BVR

Descrizione: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT38F50J

APT38F50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT39F60J

APT39F60J

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT40DQ120BCTG

APT40DQ120BCTG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT37M100L

APT37M100L

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Produttori: Microsemi
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