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2972932Immagine APT44GA60BD30.Microsemi

APT44GA60BD30

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT44GA60BD30
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 78A 337W TO-247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 26A
  • Condizione di test
    400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    16ns/84ns
  • di scambio energetico
    409µJ (on), 258µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Potenza - Max
    337W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    29 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    128nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    130A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    78A
APT42F50S

APT42F50S

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44GA60B

APT44GA60B

Descrizione: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43F60L

APT43F60L

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43GA90B

APT43GA90B

Descrizione: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44F80B2

APT44F80B2

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44F80L

APT44F80L

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43F60B2

APT43F60B2

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120J

APT45GP120J

Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45M100J

APT45M100J

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Descrizione: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

Descrizione: IGBT 900V 78A 337W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43M60L

APT43M60L

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65B

APT45GR65B

Descrizione: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43M60B2

APT43M60B2

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Descrizione: IGBT 600V 78A 337W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
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