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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT45GP120BG
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386194Immagine APT45GP120BG.Microsemi

APT45GP120BG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT45GP120BG
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 100A 625W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.9V @ 15V, 45A
  • Condizione di test
    600V, 45A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    18ns/102ns
  • di scambio energetico
    900µJ (on), 904µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potenza - Max
    625W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    APT45GP120BGMI
    APT45GP120BGMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    23 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    185nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    170A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100A
APT45GR65B

APT45GR65B

Descrizione: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120J

APT45GP120J

Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43M60B2

APT43M60B2

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44F80B2

APT44F80B2

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45M100J

APT45M100J

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44GA60B

APT44GA60B

Descrizione: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44F80L

APT44F80L

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43GA90B

APT43GA90B

Descrizione: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

Descrizione: IGBT 900V 78A 337W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Descrizione: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Descrizione: IGBT 600V 78A 337W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT43M60L

APT43M60L

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT47F60J

APT47F60J

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Descrizione: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Descrizione: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Produttori: Microsemi
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