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2804975Immagine APT50GP60BG.Microsemi

APT50GP60BG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT50GP60BG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 100A 625W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT50GP60BG.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 50A
  • Condizione di test
    400V, 50A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    19ns/83ns
  • di scambio energetico
    465µJ (on), 637µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potenza - Max
    625W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    APT50GP60BGMI
    APT50GP60BGMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    165nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    190A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100A

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: IGBT 600V 93A 415W TO247

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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APT50GS60BRG

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Descrizione: IGBT 600V 93A 415W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: IGBT 1200V 117A 694W TO264

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

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Descrizione: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Produttori: Microsemi
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