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4273916Immagine APT50GP60J.Microsemi

APT50GP60J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT50GP60J
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 100A 329W SOT227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT50GP60J.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 50A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Potenza - Max
    329W
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    5.7nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100A
  • Configurazione
    Single

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Pagamento
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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