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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APT50GT120JU2
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4811361Immagine APT50GT120JU2.Microsemi

APT50GT120JU2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT50GT120JU2
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 75A 347W SOT227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    347W
  • Contenitore / involucro
    ISOTOP
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    3.6nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    5mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    75A
  • Configurazione
    Single
APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

Descrizione: IGBT 600V 110A 446W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50M50JLL

APT50M50JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50M65B2FLLG

APT50M65B2FLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GT120JRDQ2

APT50GT120JRDQ2

Descrizione: IGBT 1200V 72A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GR120B2

APT50GR120B2

Descrizione: IGBT 1200V 117A 694W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50M65B2LLG

APT50M65B2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GT60BRG

APT50GT60BRG

Descrizione: IGBT 600V 110A 446W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GT120B2RG

APT50GT120B2RG

Descrizione: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50M38JLL

APT50M38JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

Descrizione: IGBT 600V 93A 415W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GT120LRDQ2G

APT50GT120LRDQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 106A 694W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50M65JLL

APT50M65JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GT120JU3

APT50GT120JU3

Descrizione: IGBT 1200V 75A 347W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GS60BRDLG

APT50GS60BRDLG

Descrizione: IGBT 600V 93A 415W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50M65JFLL

APT50M65JFLL

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

Descrizione: IGBT 1200V 106A 694W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GR120L

APT50GR120L

Descrizione: IGBT 1200V 117A 694W TO264

Produttori: Microsemi
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APT50GR120JD30

APT50GR120JD30

Descrizione: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT50GS60BRG

APT50GS60BRG

Descrizione: IGBT 600V 93A 415W TO247

Produttori: Microsemi
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