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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APT60GA60JD60
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834575Immagine APT60GA60JD60.Microsemi

APT60GA60JD60

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT60GA60JD60
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 112A 356W SOT-227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Potenza - Max
    356W
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    28 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    8.01nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module PT Single 600V 112A 356W Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    275µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    112A
  • Configurazione
    Single

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APT60DQ120BG

APT60DQ120BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT60GF120JRDQ3

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Descrizione: IGBT 1200V 149A 625W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60GF60JU2

APT60GF60JU2

Descrizione: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DS20HJ

APT60DS20HJ

Descrizione: MOD DIODE 200V SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DF60HJ

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Descrizione: POWER MOD DIODE 600V 90A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60M60JLL

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60GT60BRG

APT60GT60BRG

Descrizione: IGBT 600V 100A 500W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60GF60JU3

APT60GF60JU3

Descrizione: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60M75JFLL

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60M75JVFR

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DQ100LCTG

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Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DQ120LCTG

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Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 60A TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DS10HJ

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Descrizione: MOD DIODE 100V SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60M60JFLL

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DQ100BG

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60M75JLL

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DS04HJ

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Descrizione: MOD DIODE 400V SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60GT60JR

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Descrizione: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DQ60BG

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60DQ60BCTG

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Descrizione: DIODE ARRAY GP 600V 60A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
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