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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT60N60SCSG/TR
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2929698Immagine APT60N60SCSG/TR.Microsemi

APT60N60SCSG/TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT60N60SCSG/TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.9V @ 3mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D3Pak
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    45 mOhm @ 44A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    431W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7200pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Super Junction
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT64GA90B

APT64GA90B

Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M75JVR

APT60M75JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60S20BG

APT60S20BG

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Descrizione: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Descrizione: IGBT 600V 198A 833W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Descrizione: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M75JLL

APT60M75JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT65GP60J

APT65GP60J

Descrizione: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60S20SG

APT60S20SG

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino

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