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4701617Immagine APT64GA90B.Microsemi

APT64GA90B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT64GA90B
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 900V 117A 500W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    900V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.1V @ 15V, 38A
  • Condizione di test
    600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    18ns/131ns
  • di scambio energetico
    1857µJ (on), 2311µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    500W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    APT64GA90BMI
    APT64GA90BMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    29 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    162nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    193A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    117A
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT66F60L

APT66F60L

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT68GA60B

APT68GA60B

Descrizione: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60S20SG

APT60S20SG

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Descrizione: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT66M60B2

APT66M60B2

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT66M60L

APT66M60L

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60S20BG

APT60S20BG

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT65GP60J

APT65GP60J

Descrizione: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Descrizione: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Descrizione: IGBT 600V 198A 833W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT66F60B2

APT66F60B2

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino

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