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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTC60AM35T1G
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APTC60AM35T1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTC60AM35T1G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTC60AM35T1G.pdf
    2.APTC60AM35T1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.9V @ 5.4mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    35 mOhm @ 72A, 10V
  • Potenza - Max
    416W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    14000pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    518nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    72A

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