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APTC60SKM35T1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTC60SKM35T1G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTC60SKM35T1G.pdf
    2.APTC60SKM35T1G.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.9V @ 5.4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    35 mOhm @ 72A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    416W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    14000pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    518nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    72A (Tc)

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