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7025387Immagine APTGF180DH60G.Microsemi

APTGF180DH60G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTGF180DH60G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTGF180DH60G.pdf
    2.APTGF180DH60G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 180A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP6
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    833W
  • Contenitore / involucro
    SP6
  • Altri nomi
    APTGF180DH60GMI
    APTGF180DH60GMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    8.6nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP6
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    300µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    220A
  • Configurazione
    Asymmetrical Bridge

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In magazzino
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 1200V 300A 1400W D3

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 220A 833W SP4

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 230A 730W D1

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Descrizione: IGBT NPT PHASE 600V 230A D1

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Descrizione: IGBT 1200V 200A 961W SP4

Produttori: Microsemi
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