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APTGF90DA60T1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTGF90DA60T1G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 110A 416W SP1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTGF90DA60T1G.pdf
    2.APTGF90DA60T1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 90A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP1
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    416W
  • Contenitore / involucro
    SP1
  • temperatura di esercizio
    -
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    4.3nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module NPT Single 600V 110A 416W Chassis Mount SP1
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    250µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    110A
  • Configurazione
    Single

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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 110A 416W SP4

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Descrizione: IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4

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Descrizione: IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4

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Descrizione: IGBT 600V 130A 445W D1

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

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