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APTGLQ25H120T2G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTGLQ25H120T2G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER MODULE - IGBT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTGLQ25H120T2G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.42V @ 15V, 25A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP2
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    165W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    1.43nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 50A 165W Chassis Mount SP2
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    50µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    50A
  • Configurazione
    Full Bridge

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Produttori: Microsemi
In magazzino
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Produttori: Microsemi
In magazzino
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

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