APTM120H29FG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM120H29FG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM120H29FG.pdf
2.APTM120H29FG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP6
Serie

POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs

348 mOhm @ 17A, 10V
Potenza - Max

780W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP6
Altri nomi

APTM120H29FGMI
APTM120H29FGMI-ND
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

34A

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM120H29FG".

APTM120SK29TG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Produttori: Microsemi

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