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APTM120H57FT3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTM120H57FT3G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTM120H57FT3G.pdf
    2.APTM120H57FT3G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    684 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Potenza - Max
    390W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP3
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5155pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    187nC @ 10V
  • Tipo FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    17A

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