Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APTM120U10SCAVG
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
149386Immagine APTM120U10SCAVG.Microsemi

APTM120U10SCAVG

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
100+
$268.555
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTM120U10SCAVG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTM120U10SCAVG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 20mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP6
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    120 mOhm @ 58A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3290W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP6
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    28900pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1100nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    116A (Tc)

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM120U10SCAVG".
APTM120VDA57T3G

APTM120VDA57T3G

Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120SK29TG

APTM120SK29TG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM20AM05FG

APTM20AM05FG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM20AM04FG

APTM20AM04FG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120SK56T1G

APTM120SK56T1G

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120SK68T1G

APTM120SK68T1G

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120U10SAG

APTM120U10SAG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM20AM05FTG

APTM20AM05FTG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120UM70DAG

APTM120UM70DAG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120UM70FAG

APTM120UM70FAG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM20AM10FTG

APTM20AM10FTG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

Descrizione: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120TDU57PG

APTM120TDU57PG

Descrizione: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120SK15G

APTM120SK15G

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120UM95FAG

APTM120UM95FAG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 103A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM20AM08FTG

APTM20AM08FTG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Descrizione: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM20AM06SG

APTM20AM06SG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTM120TA57FPG

APTM120TA57FPG

Descrizione: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.