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JAN1N3673A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N3673A
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N3673A.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.35V @ 38A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-203AA (DO-4)
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/260
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Altri nomi
    1086-16808
    1086-16808-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    12A
  • Capacità a Vr, F
    -

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

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Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

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Descrizione: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

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JAN1N3613

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
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