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JAN1N3646

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N3646
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N3646.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    5V @ 250mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1750V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    S, Axial
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/279
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    S, Axial
  • Altri nomi
    1086-2001
    1086-2001-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 1750V 250mA Through Hole S, Axial
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 1750V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    250mA
  • Capacità a Vr, F
    -

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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