Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JAN1N5819UR-1
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
338190Immagine JAN1N5819UR-1.Microsemi

JAN1N5819UR-1

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$15.58
10+
$14.168
100+
$12.043
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N5819UR-1
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N5819UR-1.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    490mV @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    45V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-213AB (MELF, LL41)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/586
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Altri nomi
    1086-15226
    1086-15226-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 125°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Schottky 45V 1A Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    50µA @ 45V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    70pF @ 5V, 1MHz

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "JAN1N5819UR-1".
JAN1N5809

JAN1N5809

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6045A

JAN1N6045A

Descrizione: TVS DIODE 15V 25.2V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Descrizione: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

Descrizione: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JAN1N6036A

JAN1N6036A

Descrizione: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6043A

JAN1N6043A

Descrizione: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6039A

JAN1N6039A

Descrizione: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6047A

JAN1N6047A

Descrizione: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6044A

JAN1N6044A

Descrizione: TVS DIODE 13V 22.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.