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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JAN1N5809US
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Italia
Italia
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JAN1N5809US

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N5809US
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    875mV @ 4A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    B, SQ-MELF
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    30ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, B
  • Altri nomi
    1086-2125
    1086-2125-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 100V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    6A
  • Capacità a Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz
JAN1N5806

JAN1N5806

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5807

JAN1N5807

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5907

JAN1N5907

Descrizione: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5822

JAN1N5822

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5811

JAN1N5811

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5809

JAN1N5809

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5814

JAN1N5814

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N5816

JAN1N5816

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Produttori: Microsemi
In magazzino

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