Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Protezione del circuito > Televisori-diodi > JAN1N6119US
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
175332

JAN1N6119US

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
100+
$17.447
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6119US
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 27.4V 52.4V B SQ-MELF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N6119US.pdf
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    27.4V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    52.4V
  • Tensione - ripartizione (min)
    32.49V
  • Digitare
    Zener
  • Contenitore dispositivo fornitore
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    500W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, B
  • Altri nomi
    1086-19468
    1086-19468-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    9.5A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    1
  • applicazioni
    General Purpose

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "JAN1N6119US".
JAN1N6120US

JAN1N6120US

Descrizione: TVS DIODE 29.7V 56.28V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6120A

JAN1N6120A

Descrizione: TVS DIODE 29.7V 53.6V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6117US

JAN1N6117US

Descrizione: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6120

JAN1N6120

Descrizione: TVS DIODE 29.7V 56.28V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6119AUS

JAN1N6119AUS

Descrizione: TVS DIODE 27.4V 49.9V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6118

JAN1N6118

Descrizione: TVS DIODE 25.1V 47.99V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6120AUS

JAN1N6120AUS

Descrizione: TVS DIODE 29.7V 53.6V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6118US

JAN1N6118US

Descrizione: TVS DIODE 25.1V 47.99V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6118AUS

JAN1N6118AUS

Descrizione: TVS DIODE 25.1V 45.7V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6122A

JAN1N6122A

Descrizione: TVS DIODE 35.8V 64.6V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6117AUS

JAN1N6117AUS

Descrizione: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6122

JAN1N6122

Descrizione: TVS DIODE 35.8V 67.83V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6118A

JAN1N6118A

Descrizione: TVS DIODE 25.1V 45.7V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6117A

JAN1N6117A

Descrizione: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6121US

JAN1N6121US

Descrizione: TVS DIODE 32.7V 62.06V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6121AUS

JAN1N6121AUS

Descrizione: TVS DIODE 32.7V 59.1V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6119

JAN1N6119

Descrizione: TVS DIODE 27.4V 52.4V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6121A

JAN1N6121A

Descrizione: TVS DIODE 32.7V 59.1V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6119A

JAN1N6119A

Descrizione: TVS DIODE 27.4V 49.9V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6121

JAN1N6121

Descrizione: TVS DIODE 32.7V 62.06V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.