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Casa > Centro di prodotti > Protezione del circuito > Televisori-diodi > JAN1N6132US
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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6132US
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    91.2V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    173.36V
  • Tensione - ripartizione (min)
    108.3V
  • Digitare
    Zener
  • Contenitore dispositivo fornitore
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    500W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, B
  • Altri nomi
    1086-19529
    1086-19529-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    2.85A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    1
  • applicazioni
    General Purpose
JAN1N6132AUS

JAN1N6132AUS

Descrizione: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6131AUS

JAN1N6131AUS

Descrizione: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6133US

JAN1N6133US

Descrizione: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6130AUS

JAN1N6130AUS

Descrizione: TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6134US

JAN1N6134US

Descrizione: TVS DIODE 114V 216.62V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6130A

JAN1N6130A

Descrizione: TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6135A

JAN1N6135A

Descrizione: TVS DIODE 121.6VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6134

JAN1N6134

Descrizione: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6132

JAN1N6132

Descrizione: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6134A

JAN1N6134A

Descrizione: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6132A

JAN1N6132A

Descrizione: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6133

JAN1N6133

Descrizione: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6135

JAN1N6135

Descrizione: TVS DIODE 121.6V 229.32V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6131US

JAN1N6131US

Descrizione: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6134AUS

JAN1N6134AUS

Descrizione: TVS DIODE 114V 206.3V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6131A

JAN1N6131A

Descrizione: TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6133A

JAN1N6133A

Descrizione: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6131

JAN1N6131

Descrizione: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6133AUS

JAN1N6133AUS

Descrizione: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6130US

JAN1N6130US

Descrizione: TVS DIODE 76V 144.48V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino

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